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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | TO-3, 2 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.72 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 25 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 4 |
| JEDEC-95代码： | TO-204AA | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N5885E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N5885G | ONSEMI | Complementary Silicon High−Power Transistors |
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| 2N5886 | MOSPEC | POWER TRANSISTORS(25A,200W) |
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| 2N5886 | BOCA | COMPLEMENTARY SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS |
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| 2N5886 | SEME-LAB | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |
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| 2N5886 | SAVANTIC | Silicon NPN Power Transistors |
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