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2N5886G

更新时间: 2024-01-28 00:25:46
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NJSEMI /
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2页 90K
描述
Trans GP BJT NPN 80V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray

2N5886G 技术参数

是否无铅: 不含铅生命周期:Active
零件包装代码:TO-3包装说明:CASE 1-07, TO-3, 2 PIN
针数:2Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:10 weeks
风险等级:1.37外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):25 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):4
JEDEC-95代码:TO-204AAJESD-30 代码:O-MBFM-P2
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):200 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin (Sn)
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):4 MHz
Base Number Matches:1

2N5886G 数据手册

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