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2N5885

更新时间： 2024-02-03 05:18:24

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3页	113K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N5885 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TO-3, 2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.72
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	25 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	4
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4 MHz
Base Number Matches：	1

2N5885 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N5885 2N5886

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Complement to type 2N5883 2N5884

·High power dissipations

APPLICATIONS

·They are intended for use in power linear

and switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=ꢀ )

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

2N5885

2N5886

2N5885

2N5886

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

ꢀ

Collector current-peak

Base current

7.5

P_D

T_j

Total Power Dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

200

-65~200

T_stg

ꢀ

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

0.875

ꢀ/W

12 3

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与2N5885相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N5885E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL	获取价格
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