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2N5642

更新时间: 2024-01-06 08:24:54
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NJSEMI 晶体射频双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 163K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISROT

2N5642 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:0.380 INCH, STUD PACKAGE-4
针数:4Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.07最大集电极电流 (IC):3 A
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):5
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:O-CRPM-F4
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:200 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):30 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:FLAT
端子位置:RADIAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):250 MHz
Base Number Matches:1

2N5642 数据手册

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