2N5551HRG

更新时间： 2024-01-08 10:05:48

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体小信号双极晶体管开关
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10页	286K
描述
Hi-Rel NPN bipolar transistor 160 V, 0.5 A

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2N5551HRG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	7.99	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	160 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

2N5551HRG 数据手册

2N5551HR

Electrical characteristics

= 25 °C unless otherwise specified.

case

Table 5.

Symbol

Electrical characteristics

Parameter

Test conditions

Min. Typ. Max. Unit

V_CB= 120 V

µA

Collector-base cut-off

current (I_E= 0)

I_CBO

T_C= 150 °C

Emitter-base cut-off

current (I_C= 0)

I_EBO

V_EB= 4 V

Collector-base

breakdown voltage

V_(BR)CBO

I_C= 100 µA

180

160

(I_E= 0)

Collector-emitter

breakdown voltage

(1)

V_(BR)CEO

I_C= 1 mA

I_E= 10 µA

(I_B= 0)

Emitter-base

breakdown voltage

V_(BR)EBO

(I_C= 0)

I_C= 10 mA

I_C= 50 mA

I_B= 1 mA

I_B= 5 mA

0.15

0.2

Collector-emitter

saturation voltage

(1)

V_CE(sat)

I_C= 10 mA

I_C= 50 mA

I_B= 1 mA

I_B= 5 mA

Base-emitter

saturation voltage

(1)

V_BE(sat)

I_C= 1 mA

V_CE= 5 V

I_C= 10 mA

I_C= 50 mA

I_C= 10 mA

T_amb= - 55 °C

250

200

(1)

h_FE

DC current gain

V_CE= 10 V

f = 1 kHz

I_C= 1 mA

Small signal current

gain

h_fe

V_CE= 10 V

I_C= 10 mA

Small signal current

gain

h_fe

f > 100 MHz

Output capacitance

(I_E= 0)

C_obo

V_CB= 10 V

V_EB= 5 V

f = 1 MHz

Emitter-base

capacitance (I_C= 0)

C_ebo

1. Pulsed duration = 300 µs, duty cycle ≤ 1.5%

Doc ID 16935 Rev 3

3/10

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