2N5551A

更新时间： 2024-02-26 08:08:57

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Transistor

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2N5551A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	7.99	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	160 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

2N5551A 数据手册

2N5551

NPN SILICON TRANSISTOR

TYPICAL CHARACTERISTICS

Collector Output Capacitance

DC Current Gain

V_CE=5V

10³

10²

f=1MHz

I_E=0

10¹

10⁰

10¹

10²

10^-1

10⁰

10¹

10²

10³

10⁰

Collector-Base Voltage (V)

Collector Current, I_C(mA)

Current Gain-Bandwidth Product

V_CE=10V

10³

10²

10¹

10⁰

10¹

10²

10³

Collector Current, I_C(mA)

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

3 of 4

QW-R201-002.C

www.unisonic.com.tw

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