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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> 2N5460RLRP
2N5460RLRP PDF预览

2N5460RLRP

更新时间： 2024-11-25 12:57:51
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA /
页数 文件大小 规格书
4页 120K
描述
P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92

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2N5460RLRP 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.56Is Samacsys：N
其他特性：LOW NOISE配置：SINGLE
FET 技术：JUNCTION最大反馈电容 (Crss)：2 pF
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：135 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：P-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2N5460RLRP 数据手册

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by 2N5460/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
P–Channel — Depletion  
2 DRAIN  
3
GATE  
1 SOURCE  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Drain–Gate Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
V
DG  
40  
40  
10  
Vdc  
Vdc  
Reverse Gate–Source Voltage  
Forward Gate Current  
V
I
GSR  
1
mAdc  
G(f)  
2
3
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
350  
2.8  
mW  
mW/°C  
A
D
CASE 29–04, STYLE 7  
TO–92 (TO–226AA)  
Junction Temperature Range  
Storage Channel Temperature Range  
T
–65 to +135  
–65 to +150  
°C  
°C  
J
T
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Gate–Source Breakdown Voltage  
V
40  
—
—
Vdc  
(BR)GSS  
(I = 10 µAdc, V  
= 0)  
2N5460, 2N5461, 2N5462  
G
DS  
Gate Reverse Current  
I
GSS  
(V  
GS  
(V  
GS  
(V  
GS  
(V  
GS  
= 20 Vdc, V  
= 30 Vdc, V  
= 20 Vdc, V  
= 30 Vdc, V  
= 0)  
2N5460, 2N5461, 2N5462  
2N5460, 2N5461, 2N5462  
—
—
—
—
5.0  
1.0  
nAdc  
DS  
DS  
DS  
DS  
= 0)  
= 0, T = 100°C)  
= 0, T = 100°C)  
µAdc  
A
A
Gate–Source Cutoff Voltage  
(V = 15 Vdc, I = 1.0 µAdc)  
2N5460  
2N5461  
2N5462  
V
0.75  
1.0  
1.8  
—
—
—
6.0  
7.5  
9.0  
Vdc  
Vdc  
GS(off)  
DS  
D
Gate–Source Voltage  
V
GS  
(V  
DS  
(V  
DS  
(V  
DS  
= 15 Vdc, I = 0.1 mAdc)  
2N5460  
2N5461  
2N5462  
0.5  
0.8  
1.5  
—
—
—
4.0  
4.5  
6.0  
D
= 15 Vdc, I = 0.2 mAdc)  
D
= 15 Vdc, I = 0.4 mAdc)  
D
ON CHARACTERISTICS  
Zero–Gate–Voltage Drain Current  
2N5460  
2N5461  
2N5462  
I
–1.0  
–2.0  
–4.0  
—
—
—
–5.0  
–9.0  
–16  
mAdc  
mhos  
DSS  
(V  
DS  
= 15 Vdc, V  
= 0, f = 1.0 kHz)  
GS  
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS  
Forward Transfer Admittance  
2N5460  
2N5461  
2N5462  
y
1000  
1500  
2000  
—
—
—
4000  
5000  
6000  
fs  
(V  
DS  
= 15 Vdc, V  
= 0, f = 1.0 kHz)  
GS  
Output Admittance (V  
= 15 Vdc, V  
= 0, f = 1.0 kHz)  
y
—
—
—
—
75  
7.0  
2.0  
mhos  
pF  
DS  
GS  
os  
Input Capacitance (V  
= 15 Vdc, V  
= 0, f = 1.0 MHz)  
= 0, f = 1.0 MHz)  
C
5.0  
1.0  
DS  
GS  
iss  
rss  
Reverse Transfer Capacitance (V  
= 15 Vdc, V  
C
pF  
DS  
GS  
FUNCTIONAL CHARACTERISTICS  
Noise Figure  
NF  
—
—
1.0  
60  
2.5  
dB  
(V  
DS  
= 15 Vdc, V  
= 0, R = 1.0 Megohm, f = 100 Hz, BW = 1.0 Hz)  
GS G  
Equivalent Short–Circuit Input Noise Voltage  
(V = 15 Vdc, V = 0, f = 100 Hz, BW = 1.0 Hz)  
e
n
115  
nV Hz  
DS  
GS  
Motorola, Inc. 1997  
1234

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