2N5458G

更新时间： 2024-01-28 06:22:05

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体小信号场效应晶体管开关
页数	文件大小	规格书
5页	131K
描述
JFETs − General Purpose N−Channel − Depletion

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2N5458G 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.67
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	25 V
FET 技术：	JUNCTION	最大反馈电容 (Crss)：	3 pF
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	135 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N5458G 数据手册

N-Channel General Purpose Amplifier

(continued)

Electrical Characteristics

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Test Conditions

Min Typ Max Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)GSS

Gate-Source Breakdown Voltage

- 25

I_G= 10 µA, V_DS= 0

I_GSS

Gate Reverse Current

V_GS= -15 V, V_DS= 0

V_GS= -15 V, V_DS= 0, T_A= 100°C

- 1.0

- 200

V_GS(off)

Gate-Source Cutoff Voltage

- 0.5

- 1.0

- 2.0

- 6.0

- 7.0

- 8.0

_DS= 15 V, I_D= 10 nA

5457

5458

5459

V_GS

Gate-Source Voltage

- 2.5

- 3.5

- 4.5

V_DS= 15 V, I_D= 100 µA 5457

_DS= 15 V, I_D= 200 µA 5458

V_DS= 15 V, I_D= 400 µA 5459

ON CHARACTERISTICS

I_DSS

Zero-Gate Voltage Drain Current*

1.0

2.0

4.0

3.0

6.0

9.0

5.0

9.0

V_DS= 15 V, V_GS= 0

5457

5458

5459

SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS

Forward Transfer Conductance*

V_DS= 15 V, V_GS= 0, f = 1.0 kHz

g_fs

1000

1500

2000

5000

5500

6000

5457

5458

5459

µmhos

Output Conductance*

Input Capacitance

V_DS= 15 V, V_GS= 0, f = 1.0 kHz

V_DS= 15 V, V_GS= 0, f = 1.0 MHz

4.5

1.5

7.0

3.0

g_os

mhos

C_iss

C_rss

Reverse Transfer Capacitance

Noise Figure

V_DS= 15 V, V_GS= 0, f = 1.0 kHz,

R_G= 1.0 megohm, BW = 1.0 Hz

*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 ms, Duty Cycle ≤ 2%

Typical Characteristics

Transfer Characteristics

123 4 5

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