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2N5308

更新时间： 2024-01-11 21:18:44

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管达林顿晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	27K
描述
NPN Darlington Transistor

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2N5308 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.1	基于收集器的最大容量：	10 pF
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	7000	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	60 MHz	VCEsat-Max：	1.4 V
Base Number Matches：	1

2N5308 数据手册

Discr ete P OWER & Sign a l

Tech n ologies

2N5308

TO-92

NPN Darlington Transistor

This device is designed for applications requiring extremely

high current gain at currents to 1.0 A. Sourced from

Process 05. See MPSA14 for characteristics.

Absolute Maximum Ratings*

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current - Continuous

Operating and Storage Junction Temperature Range

1.2

-55 to +150

°C

T_J, T_stg

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Characteristic

Max

Units

2N5308

P_D

Total Device Dissipation

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Case

625

5.0

83.3

mW/°C

°C/W

R_θ

Thermal Resistance, Junction to Ambient

200

R_θ

°C/W

1997 Fairchild Semiconductor Corporation

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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