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2N5297

更新时间： 2024-02-24 00:26:41

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	103K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N5297 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	4 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	140 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	36 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	0.8 MHz	Base Number Matches：	1

2N5297 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N5293 2N5295 2N5297

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·High power dissipation

APPLICATIONS

·Power amplifier and medium speed

switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25ꢀ )

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

2N5293

2N5295

2N5297

2N5293

2N5295

2N5297

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

Open base

V_CEO

Collector-emitter voltage

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

T_C=25ꢀ

ꢀ

I_B

Base current

P_T

T_j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

150

-65~150

T_stg

ꢀ

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance from junction to case

3.47

ꢀ/W

12 3

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