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2N4868

更新时间： 2024-11-24 22:49:23
品牌 Logo 应用领域
INTERFET 晶体小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 66K
描述
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor

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2N4868 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.33Is Samacsys：N
配置：SINGLEFET 技术：JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：5 pFJEDEC-95代码：TO-72
JESD-30 代码：O-MBCY-W4元件数量：1
端子数量：4工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2N4868 数据手册

  
01/99  
B-17  
2N4867, 2N4867A, 2N4868, 2N4868A, 2N4869, 2N4869A  
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor  
Absolute maximum ratings at T = 25¡C  
¥ Audio Amplifiers  
A
Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage  
Gate Current  
– 40 V  
50 mA  
Continuous Device Power Dissipation  
Power Derating  
300mW  
1.7 mW/°C  
Storage Temperature Range  
– 65°C to + 200°C  
2N4867  
2N4867A  
2N4868  
2N4868A  
2N4869  
2N4869A  
Process NJ16  
At 25°C free air temperature:  
Static Electrical Characteristics  
Min Max Min Max Min Max Unit  
Test Conditions  
Gate Source Breakdown Voltage  
V
– 40  
– 40  
– 40  
V
– 0.25 nA  
– 0.25 µA  
I = – 1µA, V = ØV  
G DS  
(BR)GSS  
– 0.25  
– 0.25  
– 0.25  
– 0.25  
V
= – 30V, V = ØV  
DS  
GS  
Gate Reverse Current  
I
GSS  
V
= – 30V, V = ØV  
DS  
T = 150°C  
A
GS  
Gate Source Cutoff Voltage  
V
– 0.7 – 2  
0.4 1.2  
– 1  
1
– 3 – 1.8 – 5  
2.5 7.5  
V
V
= 20V, I = 1 µA  
DS D  
GS(OFF)  
Drain Saturation Current (Pulsed)  
I
3
mA  
V
= 20V, V = ØV  
DSS  
DS GS  
Dynamic Electrical Characteristics  
Common Source Forward  
Transconductance  
g
g
700 2000 1000 3000 1300 4000 µS  
V
= 20V, V = ØV  
f = 1 kHz  
fs  
DS GS  
Common Source Output Conductance  
Common Source Input Capacitance  
1.5  
25  
4
10  
25  
µS  
pF  
V
= 20V, V = ØV  
f = 1 kHz  
f = 1 MHz  
os  
DS GS  
C
25  
V
= 20V, V = ØV  
iss  
DS GS  
Common Source Reverse  
Transfer Capacitance  
C
5
5
5
pF  
V
= 20V, V = ØV  
f = 1 MHz  
rss  
DS GS  
20  
10  
20  
10  
20 nV/√HZ  
10 nV/√HZ  
V
= 10V, V = ØV  
GS  
f = 10 Hz  
f = 1 kHz  
f = 1 kHz  
Equivalent Short Circuit  
Input Noise Voltage  
DS  
e¯  
N
V
= 10V, V = ØV  
GS  
DS  
V
= 10V, V = ØV  
GS  
DS  
Noise Figure  
NF  
1
1
1
dB  
(2N4867, 68, 69) R = 20 kΩ  
G
(2N4867A, 68A, 69A) R = 5 kΩ  
G
TOÐ72 Package  
Surface Mount  
SMP4867, SMP4867A, SMP4868,  
SMP4868A, SMP4869, SMP4869A  
Dimensions in Inches (mm)  
Pin Configuration  
1 Source, 2 Drain, 3 Gate, 4 Case  
1000 N. Shiloh Road, Garland, TX 75042  
(972) 487-1287 FAX (972) 276-3375  
www.interfet.com  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N4868A INTERFET

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 		N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
2N4868A NJSEMI

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 		N-CHANNEL SILICON JUNCTION
2N4869 INTERFET

获取价格

 		N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
2N4869 INTERSIL

获取价格

 		N-CHANNEL JFET
2N4869 NJSEMI

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 		N-CHANNEL SILICON JUNCTION FET
2N4869A INTERFET

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 		N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
2N4869A NJSEMI

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 		N-CHANNEL SILICON JUNCTION FET
2N4870 BOCA

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 		PN UNIJUNCTION TRANSISTORS SILICON UNIJUNCTION TRANSISTORS
2N4870 NJSEMI

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 		PN UNIJUNCTION TRANSISTORS
2N4870 CENTRAL

获取价格

 		MU4893

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