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2N4403

更新时间： 2024-01-26 11:55:18

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3页	46K
描述
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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2N4403 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.66	Is Samacsys：	N
基于收集器的最大容量：	8.5 pF	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	最大关闭时间（toff）：	255 ns
VCEsat-Max：	0.75 V	Base Number Matches：	1

2N4403 数据手册

TIGER ELECTRONIC CO.,LTD

2N4403

PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description

The 2N4403 is designed for general purpose switching and

amplifier applications.

Features

• Complementary to 2N4401.

• High Power Dissipation : 625mW at 25°C

• High DC Current Gain : 100-300 at 150mA

• High Breakdown Voltage : 40V Min.

Absolute Maximum Ratings

• Maximum Temperatures

Storage Temperature............................................................................................... -55~+150°C

Junction Temperature ..................................................................................... +150°C Maximum

• Maximum Power Dissipation

Total Power Dissipation (Ta=25°C) ................................................................................ 625 mW

• Maximum Voltages and Currents (Ta=25°C)

VCBO Collector to Base Voltage ......................................................................................... 40 V

VCEO Collector to Emitter Voltage ...................................................................................... 40 V

VEBO Emitter to Base Voltage ........................................................................................... 5.0 V

IC Collector Current........................................................................................................ 600 mA

CHARACTERISTICS(Ta=25°C)

Symbol

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICEX

VCE(sat)1

VCE(sat)2

VBE(sat)1

VBE(sat)2

hFE1

Min.

5.0

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

IC=100uA, IE=0

IC=1mA. IB=0

IE=10uA, IC=0

100

400

750

0.95

1.3

VCE=35V, VBE=0.4V

IC=150mA, IB=15mA

IC=500mA, IB=50mA

IC=150mA, IB=15mA

IC=500mA, IB=50mA

VCE=1V, IC=0.1mA

VCE=1V, IC=1mA

VCE=1V, IC=10mA

VCE=2V, IC=150mA

VCE=2V, IC=500mA

IC=20mA, VCE=10V, f=100MHz

VCE=10V, IE=0, f=1MHz

750

100

200

hFE2

hFE3

hFE4

hFE5

Cob

300

MHz

8.5

TIGER ELECTRONIC CO.,LTD

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