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2N4403

更新时间： 2024-01-25 01:41:49
品牌 Logo 应用领域
友顺 - UTC 晶体放大器晶体管开关
页数 文件大小 规格书
5页 170K
描述
PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER

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2N4403 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.66Is Samacsys：N
基于收集器的最大容量：8.5 pF集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHz最大关闭时间（toff）：255 ns
VCEsat-Max：0.75 VBase Number Matches：1

2N4403 数据手册

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2N4403  
PNP SILICON TRANSISTOR  
„
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATINGS  
-40  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-40  
V
-5  
V
Collector Current-Continuous  
-600  
mA  
mW  
mW/℃  
℃
Total Device Dissipation  
625  
PC  
Derate above 25℃  
5.0  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
TJ  
+150  
-55 ~ +150  
TSTG  
℃
Note 1. Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.  
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.  
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty  
cycle operations.  
„
THERMAL DATA (Ta=25℃, unless otherwise specified)  
CHARACTERISTIC SYMBOL  
RATINGS  
200  
UNIT  
℃/W  
℃/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
θJA  
θJC  
83.3  
„
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector-Emitter Breakdown  
Voltage (Note)  
BVCEO IC=-1mA, IB=0  
-40  
V
Collector-Base Breakdown Voltage BVCBO Ic=-0.1mA, IE=0  
-40  
-5  
V
V
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Base Cut-off Current  
BVEBO IE=-0.1mA, IC=0  
ICEX VCE=-35V, VEB=-0.4V  
IBEX  
-0.1  
-0.1  
µA  
µA  
VCE=-35V, VBE=-0.4V  
ON CHARACTERISTICS*  
hFE1  
hFE2  
hFE3  
hFE4  
hFE5  
VCE=-1V,IC=-0.1mA  
30  
60  
VCE=-1V,IC=-1mA  
DC Current Gain  
VCE=-1V,IC=-10mA  
100  
100  
20  
VCE=-2V, IC=-150mA (Note)  
VCE=-2V, IC=-500mA (Note)  
300  
VCE(SAT1) IC=-150mA, IB=-15mA  
CE(SAT2) IC=-500mA, IB=-50mA  
VBE(SAT1) IC=-150mA, IB=-15mA(Note)  
BE(SAT2) IC=-500mA, IB=-50mA  
-0.4  
-0.75  
-0.95  
-1.3  
V
V
V
V
Collector-Emitter Saturation  
Voltage  
V
-0.75  
200  
Base-Emitter Saturation Voltage  
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS  
Transition Frequency  
Collector-Base Capacitance  
Emitter-Base Capacitance  
Input Impedance  
fT  
VCE=-10V, IC=-20mA, f=100MHz  
MHz  
pF  
Ccb  
Ceb  
hIE  
VCB=-10V, IE=0, f=140kHz  
VBE=-0.5V, IC=0, f=140kHz  
VCE=-10V, IC=-1mA, f=1kHz  
VCE=-10V, IC=-1mA, f=1kHz  
VCE=-10V, IC=-1mA, f=1kHz  
VCE=-10V, IC=-1mA, f=1kHz  
8.5  
30  
15  
pF  
1.5  
0.1  
60  
kΩ  
×10-4  
Voltage Feedback Ratio  
Small-Signal Current Gain  
Output Admittance  
hRE  
hFE  
hOE  
8
發
行
500  
Ｆ Ｏ Ｒ Ｉ Ｓ Ｓ Ｕ Ｅ  
JUL 17.2007 100  
1.0  
µmbos  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
Delay Time  
tD  
tR  
tS  
tF  
15  
ns  
ns  
ns  
ns  
文 件 管 理 中 心  
Doc.Control  
V
CC=-30V, IC=-150mA IB1=-15mA  
UTC  
Rise Time  
20  
Center  
Storage Time  
VCC=-30V, IC=-150mA  
225  
30  
IB1= IB2=-15mA  
Fall Time  
Note: Pulse test: Pulse Width≤300µs, Duty Cycle≤2%  
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
2 of 5  
QW-R201-053.D  
www.unisonic.com.tw  
12345

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