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2N4400

更新时间： 2024-02-09 15:15:51

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CDIL		晶体晶体管局域网
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6页	154K
描述
NPN PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

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2N4400 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.68	Is Samacsys：	N
基于收集器的最大容量：	6.5 pF	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	最大关闭时间（toff）：	255 ns
VCEsat-Max：	0.75 V	Base Number Matches：	1

2N4400 数据手册

2N4400, 2N4401

2N4402, 2N4403

Characteristic

Symbol 2N4400 2N4401 2N4402 2N4403 Unit

–4

Voltage Feedback Ratio

ALL

0.1-8.0

x10

I =1mA, V =10V, f=1KHz

Output Admittance

I =1mA, V =10V, f=1KHz

1.0-30

1.0-30 1.0-100 1.0-100

Collector-Base Capacitance

=5V, I =0, f=100KHz

<6.5

=10V, I =0, f=140KHz

<8.5

Emitter-Base Capacitance

=0.5V, I =0, f=100KHz

<30

=0.5V, I =0, f=140KHz

<30

Transition Frequency

I =20mA, V =10V

>200

>250

>150

>200

MHz

f=100MHz

SWITCHING CHARACTERISTICS

=30V, V =2V,

I =150mA, I =15mA

Delay time

ALL

<15

<20

Rise time

=30V, I =150mA,

=I =15mA

B1 B2

Storage time

Fall time

ALL

<225

<30

*Pluse Test : Pluse width ≤ 300µs, duty ≤ 2.0%.

Continental Device India Limited

Data Sheet

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