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2N3904RL1

更新时间: 2024-01-04 02:31:15
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安森美 - ONSEMI 晶体晶体管开关
页数 文件大小 规格书
8页 102K
描述
General Purpose Transistors(NPN Silicon)

2N3904RL1 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-92包装说明:CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5其他特性:EUROPEAN PART NUMBER
最大集电极电流 (IC):0.2 A集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):30
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):240
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.625 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):300 MHz
最大关闭时间(toff):250 ns最大开启时间(吨):70 ns
Base Number Matches:1

2N3904RL1 数据手册

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2N3903, 2N3904  
500  
500  
I /I = 10  
C B  
V
= 40 V  
CC  
I /I = 10  
300  
200  
300  
200  
C B  
100  
70  
100  
70  
t @ V = 3.0 V  
r CC  
50  
50  
30  
20  
30  
20  
40 V  
15 V  
10  
10  
2.0 V  
7
5
7
5
t
d
@ V = 0 V  
OB  
1.0  
2.0 3.0 5.0 7.0 10  
20 30 50 70 100  
200  
1.0  
2.0 3.0 5.0 7.0 10  
20 30 50 70 100  
200  
I , COLLECTOR CURRENT (mA)  
C
I , COLLECTOR CURRENT (mA)  
C
Figure 5. Turn–On Time  
Figure 6. Rise Time  
500  
500  
1
/ t  
8 f  
t= t -  
I
s
s
= I  
V
I
= 40 V  
CC  
300  
200  
300  
200  
B1 B2  
= I  
B1 B2  
I /I = 20  
C B  
I /I = 10  
C B  
I /I = 20  
C B  
100  
70  
100  
70  
I /I = 20  
C B  
50  
50  
I /I = 10  
C B  
I /I = 10  
C B  
30  
20  
30  
20  
10  
10  
7
5
7
5
1.0  
2.0 3.0 5.0 7.0 10  
20 30 50 70 100  
200  
1.0  
2.0 3.0 5.0 7.0 10  
20 30 50 70 100  
200  
I , COLLECTOR CURRENT (mA)  
C
I , COLLECTOR CURRENT (mA)  
C
Figure 7. Storage Time  
Figure 8. Fall Time  
TYPICAL AUDIO SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS  
NOISE FIGURE VARIATIONS  
(V  
= 5.0 Vdc, T = 25°C, Bandwidth = 1.0 Hz)  
CE  
A
12  
10  
8
14  
SOURCE RESISTANCE = 200 W  
= 1.0 mA  
f = 1.0 kHz  
I
C
= 1.0 mA  
I
C
12  
I
C
= 0.5 mA  
10  
8
SOURCE RESISTANCE = 200 W  
= 0.5 mA  
I
C
= 50 mA  
I
C
6
4
I
C
= 100 mA  
SOURCE RESISTANCE = 1.0 k  
= 50 mA  
6
4
2
0
I
C
2
0
SOURCE RESISTANCE = 500 W  
= 100 mA  
I
C
0.1 0.2  
0.4  
1.0 2.0 4.0  
10  
20  
40  
100  
0.1 0.2  
0.4  
1.0 2.0  
4.0  
10  
20  
40  
100  
f, FREQUENCY (kHz)  
R , SOURCE RESISTANCE (k OHMS)  
S
Figure 9.  
Figure 10.  
http://onsemi.com  
4

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