2N3904RL1

更新时间： 2024-01-02 11:02:38

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管开关
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8页	102K
描述
General Purpose Transistors(NPN Silicon)

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2N3904RL1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5	其他特性：	EUROPEAN PART NUMBER
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	300 MHz
最大关闭时间（toff）：	250 ns	最大开启时间（吨）：	70 ns
Base Number Matches：	1

2N3904RL1 数据手册

2N3903, 2N3904

+3 V

DUTY CYCLE = 2%

300 ns

10 < t < 500 ms

+10.9 V

DUTY CYCLE = 2%

+10.9 V

< 1 ns

275

10 k

-ā0.5 V

< 4 pF*

1N916

-ā9.1 V′

< 1 ns

* Total shunt capacitance of test jig and connectors

Figure 1. Delay and Rise Time

Equivalent Test Circuit

Figure 2. Storage and Fall Time

Equivalent Test Circuit

TYPICAL TRANSIENT CHARACTERISTICS

= 25°C

= 125°C

5000

= 40 V

I /I = 10

3000

2000

7.0

C B

5.0

1000

700

ibo

500

3.0

2.0

300

200

obo

100

1.0

0.1

0.2 0.3 0.5 0.7 1.0

2.0 3.0 5.0 7.0 10

20 30 40

1.0

2.0 3.0 5.0 7.0 10

20 30 50 70 100

200

REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)

I , COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 3. Capacitance

Figure 4. Charge Data

http://onsemi.com

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