2N3822

更新时间： 2024-09-30 22:49:23

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美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管
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2N3822 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BCY
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.1	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	50 V
FET 技术：	JUNCTION	最大反馈电容 (Crss)：	3 pF
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JEDEC-95代码：	TO-206AF
JESD-30 代码：	O-MBCY-W4	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N3822 数据手册

TECHNICAL DATA

N-CHANNEL J-FET DEPLETION MODE

Qualified per MIL-PRF-19500/ 375

Devices

Qualified Level

JANTX

JANTXV

2N3821

2N3822

2N3823

MAXIMUM RATINGS

2N3821

Symbol 2N3822 2N3823 Unit

Parameters / Test Conditions

Gate-Source Voltage

Drain-Source Voltage

Drain-Gate Voltage

V_GSR

V_DS

V_DG

I_GF

⁰C

Gate Current

Power Dissipation

TO-72*

(TO-206AF)

T_A= +25⁰C ⁽¹⁾

P_T

300

Operating Junction & Storage Temperature Range

T_j, T_stg

-55 to +200

(1) Derate linearly 1.7 mW/⁰C for T_A+25 C.

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Gate-Source Breakdown Voltage

V_DS= 0, I_G= 1.0 mAdc

Symbol

Min.

Max.

Units

V_(BR)GSSR

Vdc

2N3821, 2N3822

2N3823

Gate Reverse Current

V_DS= 0, V_GS= 30 Vdc

V_DS= 0, V_GS= 20 Vdc

Zero-Gate-Voltage Drain Current

V_GS= 0, V_DS= 15 Vdc

2N3821, 2N3822

2N3823

I_GSSR

0.1

0.5

Vdc

2N3821

2N3822

2N3823

I_DSS

0.5

2.0

4.0

2.5

Gate-Source Voltage

V_DS= 15 Vdc, I_D= 50 µAdc

V_DS= 15 Vdc, I_D= 200 µAdc

V_DS= 15 Vdc, I_D= 400 µAdc

Gate-Source Cutoff Voltage

V_DS= 15 Vdc, I_D= 0.5 hAdc

2N3821

2N3822

2N3823

0.5

1.0

2.0

4.0

7.5

V_GS

4.0

6.0

8.0

2N3821

2N3822

2N3823

V_GS(off)

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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2N3822 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MV2N3822	MICROSEMI	完全替代	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C
JANTX2N3822	SOLITRON	功能相似	N-CHANNEL JFETS - 1

与2N3822相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N3822UB	MICROSEMI	获取价格	N-CHANNEL J-FET DEPLETION MODE
2N3823	MICRO-ELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
2N3823	MICROSEMI	获取价格	TECHNICAL DATA
2N3823	NJSEMI	获取价格	SILICON N-CHANNEL JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR
2N3823	INTERSIL	获取价格	N-CHANNEL JFET
2N3823E3	MICROSEMI	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C
2N3823UB	MICROSEMI	获取价格	N-CHANNEL J-FET DEPLETION MODE
2N3824	INTERSIL	获取价格	N-CHANNEL JFET
2N3824	NJSEMI	获取价格	JFETS LOW FREQUENCY, LOW NOISE
2N3824LP	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 50V V(BR)DSS \| TO-46

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