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2N3838

更新时间： 2024-09-22 22:49:23

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美高森美 - MICROSEMI		/
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2页	137K
描述
NPN/PNP SILICON COMPLEMENTARY SMALL SIGNAL DUAL

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2N3838 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	CHIP CARRIER, R-CDCC-N6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.25
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	35
JESD-30 代码：	R-CDCC-N6	JESD-609代码：	e0
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN AND PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	300 ns
最大开启时间（吨）：	45 ns	Base Number Matches：	1

2N3838 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN/PNP SILICON COMPLEMENTARY SMALL SIGNAL DUAL

TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/421

Devices

Qualified Level

JAN

2N4854

2N3838

JANTX

JANTXV

2N4854U

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Sym

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

2N3838⁽²⁾

2N4854, U

Unit

Vdc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Vdc

5.0

600

5.0

600

Vdc

mAdc

TO-78*

2N4854

One

Total

One

Total

Trans Devic Trans Device

0.25⁽²⁾

0.7⁽⁴⁾

0.35

1.4

0.30⁽³⁾

1.0⁽⁵⁾

0.60

2.0

Total Power Dissipation @ T_A= +25⁰C

@ T_C= + 25⁰C⁽¹⁾

Operating & Storage Junction Temp. Range

⁰C

P_T

T_J

6 Pin Surface Mount*

2N4854U

200

Operating & Storage Junction Temp. Range

Lead to Case Voltage

-55 to +200

⁰C

stg

Vdc

±120

1) T_Crating do not apply to Surface Mount devices (2N4854U)

2) For T_A> +25⁰C Derate linearly 1.43 mW/⁰C (one transistor) 2.00 mW/⁰C (both transistors)

3) For T_A> +25⁰C Derate linearly 1.71 mW/⁰C (one transistor) 3.43 mW/⁰C (both transistors)

4) For T_C> +25⁰C Derate linearly 4.0 mW/⁰C (one transistor) 8.0 mW/⁰C (both transistors)

6 Lead Flatpack*

2N3838

*See MILPRF19500/421

5) For T_C> +25⁰C Derate linearly 5.71 mW/⁰C (one transistor) 11.43 mW/⁰C (both transistors)

for package dimensions.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Current

I_C= 10 mAdc

V_(BR)CEO

I_CBO(1)

I_CBO(2)

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 60 Vdc

µAdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 50 Vdc

2N3838

ηAdc

2N4854, U

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 5.0 Vdc

V_EB= 3.0 Vdc

µAdc

ηAdc

I_EBO

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

42103

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1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N3838/78	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| COMPLEMENTARY \| 40V V(BR)CEO \| 600MA I(C) \| TO-78
2N3839	CENTRAL	获取价格	Small Signal NPN Transistors / Dual Transistors
2N3839	NJSEMI	获取价格	TBD
2N3839LEADFREE	CENTRAL	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2N384	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 40V V(BR)CEO \| 10MA I(C) \| TO-44
2N3840	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-46
2N3841	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-18
2N3842	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 120V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-18
2N3843	CENTRAL	获取价格	Transistor
2N3843-1	NJSEMI	获取价格	N-P-N SILICON TRANSISTOR

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