2N3822UB

更新时间： 2024-01-23 11:30:37

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美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管
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N-CHANNEL J-FET DEPLETION MODE

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2N3822UB 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.67
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	50 V
FET 技术：	JUNCTION	最大反馈电容 (Crss)：	3 pF
JESD-30 代码：	R-CDSO-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N3822UB 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http://www.microsemi.com

Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland

Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298

N-CHANNEL J-FET DEPLETION MODE

Equivalent to MIL-PRF-19500/375

DEVICES

LEVELS

MQ = JAN Equivalent

MX = JANTX Equivalent

MV = JANTXV Equivalent

2N3821

2N3822

2N3823

2N3821UB

2N3822UB

2N3823UB

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

2N3821, UB 2N3823, UB

2N3822, UB

Parameters / Test Conditions

Symbol

Unit

V_GSR

V_DS

V_DG

I_GF

Gate-Source Voltage

Drain-Source Voltage

Drain-Gate Voltage

Gate Current

Power Dissipation

T_A= +25°C ⁽¹⁾

300

P_T

Operating Junction & Storage

Temperature Range

T_j, T_stg

-55 to + 200

°C

Note: (1) Derate linearly 1.7mW/°C for T_A> +25°C.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

OFF CHARACTERTICS

Symbol

Min.

Max.

Unit

TO-72 (TO-206AF)

2N3821 / UB

2N3822 / UB

2N3823 / UB

Gate-Source Breakdown Voltage

V_DS= 0, I_G= 1.0μA dc

V_(BR)GSSR

Vdc

Gate Reverse Current

_DS= 0, V_GS= 30V dc

2N3821 / UB

2N3822 / UB

2N3823 / UB

0.1

0.5

I_GSSR

ηA

V_DS= 0, V_GS= 20V dc

Zero-Gate-Voltage Drain Current

_GS= 0, V_DS= 15V dc

2N3821 / UB

2N3822 / UB

2N3823 / UB

0.5

2.0

4.0

2.5

I_DSS

Gate-Source Voltage

_DS= 15V dc, I_D= 50μA dc

V_DS= 15V dc, I_D= 200μA dc

V_DS= 15V dc, I_D= 400μA dc

Gate-Source Cutoff Voltage

V_DS= 15V dc, I_D= 0.5ηA dc

0.5

1.0

2.0

4.0

7.5

2N3821 / UB

2N3822 / UB

2N3823 / UB

V_GS

Vdc

UB - Package

4.0

6.0

8.0

2N3821 / UB

2N3822 / UB

2N3823 / UB

V_GS(off)

T4-LDS-0005 Rev. 2 (101425)

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