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2N3819-D27Z

更新时间： 2024-02-05 23:08:13
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
3页 29K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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2N3819-D27Z 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.05 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)Base Number Matches：1

2N3819-D27Z 数据手册

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2N3819  
N-Channel RF Amplifier  
•
This device is designed for RF amplifier and mixer applications  
operating up to 450MHz, and for analog switching requiring low  
capacitance.  
•
Sourced from process 50.  
TO-92  
1. Drain 2. Gate 3. Source  
1
Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings* T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Ratings  
25  
Units  
V
V
Drain-Gate Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current  
V
V
DG  
GS  
-25  
I
I
50  
mA  
mA  
°C  
D
Forward Gate Current  
10  
GF  
T
Storage Temperature Range  
-55 ~ 150  
STG  
* This ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These rating are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
Off Characteristics  
V
Gate-Source Breakdwon Voltage  
Gate Reverse Current  
I
= 1.0µA, V = 0  
25  
V
nA  
V
(BR)GSS  
GSS  
G
DS  
I
V
V
V
= -15V, V = 0  
2.0  
8.0  
GS  
DS  
DS  
DS  
V
V
(off)  
Gate-Source Cutoff Voltage  
Gate-Source Voltage  
= 15V, I = 2.0nA  
D
GS  
GS  
= 15V, I = 200µA  
-0.5  
2.0  
-7.5  
V
D
On Characteristics  
Zero-Gate Voltage Drain Current  
Small Signal Characteristics  
I
V
= 15V, V = 0  
20  
mA  
DSS  
DS  
GS  
gfs  
Forward Transfer Conductance  
V
V
= 15V, V = 0, f = 1.0KHz  
2000  
1600  
6500  
50  
µmhos  
µmhos  
µmhos  
pF  
DS  
DS  
GS  
goss  
Output Conductance  
= 15V, V = 0, f = 1.0KHz  
GS  
y
Forward Transfer Admittance  
Input Capacitance  
V
= 15V, V = 0, f = 1.0KHz  
fs  
DS GS  
C
C
V
V
= 15V, V = 0, f = 1.0KHz  
8.0  
4.0  
iss  
rss  
DS  
GS  
Reverse Transfer Capacitance  
= 15V, V = 0, f = 1.0KHz  
pF  
DS  
GS  
Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Max.  
Units  
mW  
mW/°C  
P
Total Device Dissipation  
350  
2.8  
D
Derate above 25°C  
R
R
Thermal Resistance, Junction to Case  
125  
357  
°C/W  
θJC  
θJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
°C/W  
* Device mounted on FR-4 PCB 1.5” × 1.6” × 0.06”  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, December 2002  
123

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