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2N3055

更新时间： 2024-01-07 06:40:33

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描述
POWER LINEAR AND SWITCHING APPLICATIONS

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2N3055 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.59	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	15 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
JEDEC-95代码：	TO-3	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	2.5 MHz	Base Number Matches：	1

2N3055 数据手册

2N3055

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TC=25°C unless otherwise noted

Symbol

V_CEO(SUS)

Ratings

Test Condition(s)

Min Typ Mx Unit

Collector-Emitter Sustaining

I_C=200 mAdc, I_B=0

Vdc

Voltage (1)

Collector-Emitter

BV_CER

I_CEO

I_C=200 mAdc, R_BE=100Ω

Breakdown Voltage (1)

Collector-Emitter Current

Collector Cutoff Current

C_VE=30 Vdc, I_B=0

0.7 mAdc

5.0

V_CE=100 Vdc, V_EB(off)=1.5 Vdc

V_CE=100 Vdc, V_EB(off)=1.5 Vdc,

T_C=150°C

mAdc

I_CEX

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

V_BE=7.0 Vdc, I_C=0

5.0 mAdc

I_EBO

h_FE

I_C=4.0 Adc, V_CE=4.0 Vdc

I_C=10 Adc, V_CE=4.0 Vdc

I_C=4.0 Adc, I_B=0.4Adc

5.0

1.1

8.0

Collector-Emitter saturation

Voltage

Vdc

V_CE(SAT)

I_C=10 Adc, I_B=3.3Adc

Base-Emitter Voltage

I_C=4.0 Adc, V_CE=4.0 Vdc

1.8

Vdc

V_BE

h_fe

Small Signal Current Gain

V_CE=4.0 Vdc, I_C=1.0 Adc, f=1.0 kHz

V_CE=4.0 Vdc, I_C+=1.0 Adc, f=1.0 kHz

120

Small Signal Current Gain

kHz

f_αe

Cutoff Frequency

Second Breakdown

Collector Current

t=1 S (non repetitive), V_CE=60 Vdc

1.95

I_s/b

In accordance with JEDEC Registration Data

(1) Pulse Width ≈ 300 µs, Duty Cycle ∠ 2.0%

MECHANICAL CHARACTERISTICS CASE-TO-3

DIMENSIONS

inches

1,004

1,53

1,18

0,68

0,43

0,46

0,34

0,6

25,51

38,93

30,12

17,25

10,89

11,62

8,54

1,55

19,47

0,77

0,04

0,16

4,06

Pin 1 :

Pin 2 :

Case :

Base

Emitter

Collector

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