5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3055A/D | ETC |
获取价格 |
Complementary Silicon High-Power Transistor |
|
| 2N3055A_06 | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Silicon High-Power Transistors |
|
| 2N3055AG | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Silicon High-Power Transistors |
|
| 2N3055C | NJSEMI |
获取价格 |
N-P-N SILICON POWER TRANSISTOR |
|
| 2N3055E | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package. |
|
| 2N3055E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal |
|
| 2N3055ESMD | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed |
|
| 2N3055G | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Complementary Silicon Power Transistors |
|
| 2N3055G | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Silicon Power Transistors |
|
| 2N3055H | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Silicon Power Transistors |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
