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2N2919

更新时间： 2024-02-02 07:26:40
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页数 文件大小 规格书
2页 31K
描述
DUAL NPN PLANAR TRANSISTORS IN TO77 PACKAGE

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2N2919 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.42
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.03 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：150JESD-30 代码：R-PDSO-N6
JESD-609代码：e0元件数量：2
端子数量：6封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：235极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：20
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2N2919 数据手册

 浏览型号2N2919的Datasheet PDF文件第1页 
2N2919  
S E M E  
LA B  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
amb  
1
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
INDIVIDUAL TRANSISTOR CHARACTERISTICS  
V
V
V
Collector – Base Breakdown Voltage  
I = 10 A I = 0  
60  
60  
6
(BR)CBO  
(BR)CEO*  
(BR)EBO  
C
E
V
Collector – Emitter Breakdown Voltage I =  
10mAI = 0  
C
B
Emitter – Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I = 10 A  
I = 0  
C
E
nA  
A
V
= 45V  
I = 0  
2
10  
2
CB  
E
I
CBO  
T = 150°C  
A
I
I
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
V
V
V
= 5V  
= 5V  
= 5V  
I = 0  
B
CEO  
CE  
EB  
CE  
nA  
—
V
I = 0  
2
EBO  
C
I = 10 A  
60  
15  
240  
C
T = –55°C  
A
h
DC Current Gain  
FE  
V
V
V
= 5V  
= 5V  
= 5V  
I = 100 A  
100  
150  
CE  
CE  
CE  
C
I = 1mA  
C
V
V
Base – Emitter Voltage  
I = 100 A  
0.70  
0.35  
BE  
C
Collector – Emitter Saturation Voltage I = 100 A  
I = 1mA  
C
CE(sat)  
ib  
B
h
Small Signal Common – Base  
Input Impedance  
V
= 5V  
I = 1mA  
C
CB  
25  
3
32  
1
f = 1kHz  
= 5V  
h
Small Signal Common – Base  
Output Admittance  
V
I = 1mA  
C
ob  
CB  
mho  
—
f = 1kHz  
= 5V  
|h |  
Small Signal Common – Base  
Current Gain  
V
I = 500 A  
C
fe  
CE  
f = 20MHz  
= 5V  
C
Common – Base Open Circuit  
Output Capacitance  
V
I = 0  
E
obo  
CB  
pF  
6
f = 140kHz to 1MHz  
* Pulse Test: t = 300 s ,  
1%.  
p
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max. Unit  
TRANSISTOR MATCHING CHARACTERISTICS  
h
Static Forward Current Gain  
V
= 5V  
I = 100 A  
C
FE1  
CE  
—
0.9  
1
h
Balance Ratio  
See Note 2.  
FE2  
V
V
V
= 5V  
= 5V  
I = 100 A  
3
5
CE  
CE  
CE  
A1  
C
mV  
|V  
– V  
| Base – Emitter Voltage Differential  
BE1  
BE2  
I = 10 A to 1mA  
C
| (V  
– V  
) T |  
= 5V  
I = 100 A  
C
BE1  
BE2  
A
0.8  
1
Base – Emitter Voltage Differential  
Change With Temperature  
T
= 25°C  
= 5V  
T
= –55°C  
A2  
mV  
V
I = 100 A  
C
CE  
A1  
T
= 25°C  
T
= 125°C  
A2  
NOTES  
1) Terminals not under test are open circuited under all test conditions.  
2) The lower of the two readings is taken as h  
.
FE1  
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk  
Prelim. 9/95  
12

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