2N2919

更新时间： 2024-01-22 04:46:44

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美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	289K
描述
NPN SILICON DUAL TRANSISTOR

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2N2919 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.42
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.03 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	150	JESD-30 代码：	R-PDSO-N6
JESD-609代码：	e0	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	235	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N2919 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http://www.microsemi.com

Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland

Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (con’t)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Min.

Max.

Unit

ON CHARACTERTICS

Forward-Current Transfer Ratio

2N2919, 2N2919L , 2N2919U

h_FE

100

150

240

325

600

I_C= 10μAdc, V_CE= 5.0Vdc

I_C= 100μAdc, V_CE= 5.0Vdc

I_C= 1.0mAdc, V_CE= 5.0Vdc

2N2920, 2N2920L, 2N2920U

175

235

300

600

800

1000

I_C= 10μAdc, V_CE= 5.0Vdc

I_C= 100μAdc, V_CE= 5.0Vdc

I_C= 1.0mAdc, V_CE= 5.0Vdc

h_FE

Collector-Emitter Saturation Voltage

0.3

1.0

I_C= 1.0mAdc, I_B= 100μAdc

V_CE(sat)

Vdc

Base-Emitter Saturation Voltage

I_C= 1.0mAdc, I_B= 100μAdc

0.5

V_BE(sat)

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Parameters / Test Conditions

Symbol

Min.

Max.

Unit

Forward Current Transfer Ratio, Magnitude

I_C= 0.5mAdc, V_CE= 5.0Vdc, f = 20MHz

|h_fe|

3.0

Small-Signal Short Circuit Input Impedance

I_C= 1.0mAdc, V_CE= 5Vdc, f = 1.0kHz

h_je

3.0

kΩ

Small-Signal Short Circuit Output Admittance

I_C= 1.0mAdc, V_CE= 5Vdc, f = 1.0kHz

h_oe

μmhos

Output Capacitance

C_obo

5.0

_CB= 5.0Vdc, I_E= 0, 100kHz ≤ f ≤ 1.0MHz

Noise Figure

F₁

F₂

F₃

5.0

3.0

I_C= 10μAdc, V_CE= 5Vdc, f = 100Hz, R_G= 10kΩ

I_C= 10μAdc, V_CE= 5Vdc, f = 1.0kHz, R_G= 10kΩ

I_C= 10μAdc, V_CE= 5Vdc, f = 10kHz, R_G= 10kΩ

T4-LDS-0202 Rev. 1 (110638)

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