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2N2916CECC PDF预览

2N2916CECC

更新时间： 2024-02-28 23:11:08
品牌 Logo 应用领域
SEME-LAB 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 31K
描述
NPN

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2N2916CECC 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.28
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.03 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：150JEDEC-95代码：TO-78
JESD-30 代码：O-MBCY-W6JESD-609代码：e3
元件数量：2端子数量：6
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN (315)
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：60 MHzBase Number Matches：1

2N2916CECC 数据手册

 浏览型号2N2916CECC的Datasheet PDF文件第1页 
2N2914  
2N2916  
2N2918  
S E M E  
LA B  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
amb  
1
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
INDIVIDUAL TRANSISTOR CHARACTERISTICS  
V
V
V
Collector – Base Breakdown Voltage  
I = 10 A I = 0  
45  
45  
6
(BR)CBO  
(BR)CEO*  
(BR)EBO  
C
E
V
Collector – Emitter Breakdown Voltage I =  
10mAI = 0  
C
B
Emitter – Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I = 10 A  
I = 0  
C
E
nA  
A
V
= 45V  
I = 0  
10  
10  
2
CB  
E
I
CBO  
T = 150°C  
A
I
I
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
V
V
V
= 5V  
= 5V  
= 5V  
I = 0  
B
CEO  
CE  
EB  
CE  
nA  
—
V
I = 0  
2
EBO  
C
I = 10 A  
150  
30  
600  
C
T = –55°C  
A
h
DC Current Gain  
FE  
V
V
V
= 5V  
= 5V  
= 5V  
I = 100 A  
225  
300  
CE  
CE  
CE  
C
I = 1mA  
C
V
V
Base – Emitter Voltage  
I = 100 A  
0.70  
0.35  
BE  
C
Collector – Emitter Saturation Voltage I = 100 A  
I = 1mA  
C
CE(sat)  
ib  
B
h
Small Signal Common – Base  
Input Impedance  
V
= 5V  
I = 1mA  
C
CB  
25  
3
32  
1
f = 1kHz  
= 5V  
h
Small Signal Common – Base  
Output Admittance  
V
I = 1mA  
C
ob  
CB  
mho  
—
f = 1kHz  
= 5V  
|h |  
Small Signal Common – Base  
Current Gain  
V
I = 500 A  
C
fe  
CE  
f = 20MHz  
= 5V  
C
Common – Base Open Circuit  
Output Capacitance  
V
I = 0  
E
obo  
CB  
pF  
6
f = 140kHz to 1MHz  
* Pulse Test: t = 300 s ,  
1%.  
p
2N2916  
2N2918  
Parameter  
Test Conditions  
Min. Typ. Max. Min. Typ. Max. Unit  
TRANSISTOR MATCHING CHARACTERISTICS  
h
Static Forward Current  
Gain Balance Ratio  
Base – Emitter Voltage  
Differential  
V
= 5V  
I = 100 A  
C
FE1  
CE  
—
0.9  
1
0.8  
1
h
See Note 2.  
FE2  
V
V
V
= 5V  
= 5V  
I = 100 A  
3
5
5
CE  
CE  
CE  
A1  
C
mV  
|V  
– V  
|
BE1  
BE2  
I = 10 A to 1mA  
10  
C
| (V  
– V  
) T |  
= 5V  
I = 100 A  
C
BE1  
BE2  
A
0.8  
1
1.6  
2
Base – Emitter Voltage  
Differential Change With  
Temperature  
T
= 25°C  
= 5V  
T
= –55°C  
A2  
mV  
V
I = 100 A  
C
CE  
A1  
T
= 25°C  
T
= 125°C  
A2  
NOTES  
1) Terminals not under test are open circuited under all test conditions.  
2) The lower of the two readings is taken as h  
.
FE1  
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk  
Prelim. 9/95  
12

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