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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Contact Manufacturer | 零件包装代码： | TO-52 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-XBCY-W3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.62 | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JESD-30 代码： | O-XBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.85 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N2852-1 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-39 |
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| 2N2852-2 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-111 |
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| 2N2852-3 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5VAR |
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| 2N2853 | APITECH | Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, |
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| 2N2853-1 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-39 |
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| 2N2853-2 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-111 |
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