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2N2151E3

更新时间： 2024-11-25 08:19:35

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	54K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 4 Pin,

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2N2151E3 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.34	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	TO-111
JESD-30 代码：	O-MUPM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N2151E3 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 277

Devices

Qualified Level

2N2150

2N2151

JANTX

MAXIMUM RATINGS (T_C= 25⁰C unless otherwise noted)

Ratings

Collector-Emitter Voltage

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_B

Value

100

150

8.0

Units

Vdc

Adc

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Base Current

2.0

Collector Current

I_C

Total Power Dissipation

Operating & Storage Junction Temperature Range

@ T_c= +100⁰C⁽¹⁾

P_T

-65 to +200

⁰C

T_J_,T

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Case

1) Derate linearly @ 0.3 W/⁰C for T_C> +100⁰C

TO-111*

Symbol

Max.

3.3

Unit

⁰C/W

qJC

*See Appendix A for

Package Outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= +25⁰C)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 50 mAdc

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 100 mAdc

100

150

Vdc

V_(BR)

CEO

V_CBO

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 80 Vdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 120 Vdc

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 120 Vdc, V_BE= -1.0 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 8.0 Vdc

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 120 Vdc, V_BE= 0 Vdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

5.0

2.0

5.0

I_CEO

I_CBO

I_CEX

I_EBO

I_CES

mAdc

120101

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与2N2151E3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N2152	DIGITRON	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,30V V(BR)CEO,30A I(C),TO-36
2N2152A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 30V V(BR)CEO \| 30A I(C) \| TO-67
2N2153	DIGITRON	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,45V V(BR)CEO,30A I(C),TO-36
2N2154	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 30A I(C) \| TO-36
2N2155	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 75V V(BR)CEO \| 30A I(C) \| TO-36
2N2155A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 75V V(BR)CEO \| 30A I(C) \| TO-67
2N2156	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 30V V(BR)CEO \| 30A I(C) \| TO-36
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2N2157A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 45V V(BR)CEO \| 30A I(C) \| TO-67