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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.4 |
| 基于收集器的最大容量： | 15 pF | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 |
| JEDEC-95代码： | TO-39 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.8 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 40 MHz | VCEsat-Max： | 1.2 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N1975LEADFREE | CENTRAL |
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暂无描述 |
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| 2N1980 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-36 |
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| 2N1981 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-36 |
|
| 2N1982 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-36 |
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| 2N1983 | NJSEMI |
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Diode TP-39 |
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| 2N1983 | ASI |
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Transistor |
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| 2N1983 | CENTRAL |
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SMALL SIGNAL TRANSISTORS |
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| 2N1983LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PI |
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| 2N1984 | NJSEMI |
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NPN SWITCHING TRANSISTORS |
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| 2N1984 | CENTRAL |
获取价格 |
SMALL SIGNAL TRANSISTORS |
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