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2N1376

更新时间: 2024-11-30 20:13:27
品牌 Logo 应用领域
DIGITRON 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 115K
描述
TRANSISTOR,BJT,PNP,25V V(BR)CEO,200MA I(C),TO-5

2N1376 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.61
最大集电极电流 (IC):0.2 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):67最高工作温度:100 °C
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.25 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
Base Number Matches:1

2N1376 数据手册

  

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TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-11
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