2DA1774S

更新时间： 2024-11-27 22:11:39

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	47K
描述
PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2DA1774S 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	270	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

2DA1774S 数据手册

2DA1774Q/R/S

PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features

SOT-523

Ultra Miniature Surface Mount Package

Complementary NPN Type Available

(2DC4617Q,R,S)

Dim Min Max Typ

0.15 0.30 0.22

0.75 0.85 0.80

1.45 1.75 1.60

Mechanical Data

TOP VIEW

Case: SOT-523, Molded Plastic

Case material - UL Flammability Rating

Classification 94V-0

Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020A

Terminals: Solderable per MIL-STD-202,

Method 208

0.50

0.90 1.10 1.00

1.50 1.70 1.60

0.00 0.10 0.05

0.60 0.80 0.75

0.10 0.30 0.22

0.10 0.20 0.12

0.45 0.65 0.50

Terminal Connections: See Diagram

Marking (See Page 2): 2DA1774Q: 8A

2DA1774R: 8B

2DA1774S: 8C

Ordering & Date Code Information: See Page 2

Weight: 0.002 grams (approx.)

0°

8°

All Dimensions in mm

@ T_A= 25°C unless otherwise specified

Symbol

Maximum Ratings

Characteristic

2DA1774Q/R/S

Unit

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-60

-50

-6.0

Collector Current - Continuous (Note 1)

Power Dissipation (Note 1)

150

°C/W

°C

P_d

150

R_qJA

T_j, T_STG

Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)

Operating and Storage and Temperature Range

833

-55 to +150

@ T_A= 25°C unless otherwise specified

Electrical Characteristics

Characteristic

OFF CHARACTERISTICS (Note 2)

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

Symbol

Min

Max

Unit

Test Condition

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

I_C= -50mA, I_E= 0

I_C= 1.0mA, I_B= 0

-60

-50

-6.0

I_E= -50mA, I_C= 0

V_CB= -60V

-100

V_EB= -6.0V

I_EBO

Emitter Cutoff Current

ON CHARACTERISTICS (Note 2)

DC Current Gain

2DA1774Q

2DA1774R

2DA1774S

120

180

270

390

560

_CE= -6.0V, I_C= -1.0mA

h_FE

I_C= -50mA, I_B= -5.0mA

V_CE(SAT)

Collector-Emitter Saturation Voltage

SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS

Output Capacitance

-0.5

V_CB= -12V, f = 1.0MHz, I_E= 0

C_obo

f_T

4.0 Typ.

140 Typ.

5.0

V_CE= -12V, I_C= -2.0mA,

f = 30MHz

Current Gain-Bandwidth Product

MHz

Notes:

1. Part mounted on FR-4 board with recommended pad layout, which can be found on our website

at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.

2. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.

DS30253 Rev. 4 - 2

1 of 2

2DA1774Q/R/S

中文翻译

下载PDF

与2DA1774S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2DA1774S-13	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ULTRA
2DA1774S-7	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 150MA I(C) \| SOT-523
2DA1774S-7-F	DIODES	获取价格	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
2DA1797	DIODES	获取价格	PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR
2DA1797_15	DIODES	获取价格	50V PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR
2DA1797-13	DIODES	获取价格	PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR
2DA1797Q	DIODES	获取价格	PNP, 50V, 3A, SOT89
2DA1797Q-13	DIODES	获取价格	50V PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR
2DA1971	DIODES	获取价格	PNP, 400V, 0.5A, SOT89
2DA1971-13	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), PNP

与2DA1774S相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

49
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

38
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

66
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

62

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2DA1774S

2DA1774S 技术参数

2DA1774S 数据手册

与2DA1774S相关器件

与2DA1774S相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2DA1774S

2DA1774S 技术参数

2DA1774S 数据手册

与2DA1774S相关器件

与2DA1774S相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？