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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.75 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 6 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 300 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SD798_15 | JMNIC | Silicon Power Transistors |
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| 2SD798_2015 | JMNIC | Silicon Power Transistors |
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| 2SD799 | ISC | Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD799 | TOSHIBA | SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE(DARINGTON PPOWER) |
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| 2SD799 | JMNIC | Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD799 | SAVANTIC | Silicon NPN Power Transistors |
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