生命周期: | Obsolete | 包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.75 | 风险等级: | 5.82 |
最大集电极电流 (IC): | 0.7 A | 集电极-发射极最大电压: | 50 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 90 |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | PNP |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 120 MHz |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SB605-AZ | NEC | 暂无描述 |
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2SB605K | NEC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SPAKVAR |
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2SB605-K | NEC | Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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2SB605L | NEC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SPAKVAR |
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2SB605-L-AZ | NEC | Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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2SB605M | NEC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SPAKVAR |
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