5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.58 | 最大集电极电流 (IC)： | 10 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 55 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 140 °C |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1265N | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SA1265N | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SA1265N | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SA1265N | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 10 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| 2SA1265NO | ISC |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2SA1265N-O | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 10 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| 2SA1265NR | ISC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SA1265N-R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 10 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| 2SA1266 | KEC |
获取价格 |
SILICON PNP TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR TYPE |
|
| 2SA1266 | SWST |
获取价格 |
小信号晶体管 |
|
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
