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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.67 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 120 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 | JEDEC-95代码： | TO-236 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 0.15 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SA1163_07 | TOSHIBA | Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications |
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| 2SA1163_15 | KEXIN | PNP Transistors |
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| 2SA1163BL | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236AB |
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| 2SA1163-BL(T5L,F,T) | TOSHIBA | Small Signal Bipolar Transistor |
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| 2SA1163-BL(T5LBSHF | TOSHIBA | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SA1163-BL(T5LYAZF) | TOSHIBA | Small Signal Bipolar Transistor |
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