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2N930

更新时间: 2024-02-29 23:20:31
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
2页 45K
描述
LOW-LEVEL, LOW-NOISE AMPLFIERS

2N930 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.13
最大集电极电流 (IC):0.03 A集电极-发射极最大电压:45 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):150
JEDEC-95代码:TO-18JESD-30 代码:O-MBCY-W3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:200 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:MATTE TIN (315)
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):30 MHz
Base Number Matches:1

2N930 数据手册

 浏览型号2N930的Datasheet PDF文件第2页 
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