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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.79 |
| JESD-609代码： | e0 | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6423-2 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 300V 2A 3-Pin(2+Tab) TO-66 |
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| 2N6423E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 300V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, |
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| 2N6423LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 |
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| 2N6423PBFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, |
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| 2N6424 | CENTRAL |
获取价格 |
Power Transistors |
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| 2N6424 | NJSEMI |
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SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 |
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| 2N6424 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 225V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, |
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| 2N6424E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 225V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, |
|
| 2N6424LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 225V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 |
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| 2N6424PBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
暂无描述 |
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