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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.88 |
| 最长访问时间： | 300 ns | 命令用户界面： | NO |
| 数据轮询： | YES | JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM | 内存宽度： | 8 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 8KX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSSOP |
| 封装等效代码： | TSSOP28,.53,22 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 3/3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES | 最大待机电流： | 0.0001 A |
| 子类别： | EEPROMs | 最大压摆率： | 0.008 mA |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.55 mm |
| 端子位置： | DUAL | 切换位： | NO |
| 最长写入周期时间 (tWC)： | 3 ms | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 28LV64A-T-30I/VS | MICROCHIP |
获取价格 |
64K (8K x 8) Low Voltage CMOS EEPROM |
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| 28M0 | MICROSEMI |
获取价格 |
60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY |
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| 28M0B | MICROSEMI |
获取价格 |
60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY |
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| 28M0BC | MICROSEMI |
获取价格 |
60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY |
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| 28M0BS | MICROSEMI |
获取价格 |
60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY |
|
| 28M0D | MICROSEMI |
获取价格 |
60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY |
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| 28M0DC | MICROSEMI |
获取价格 |
60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY |
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| 28M0DS | MICROSEMI |
获取价格 |
60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY |
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| 28M0U | MICROSEMI |
获取价格 |
60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY |
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| 28M0UC | MICROSEMI |
获取价格 |
60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY |
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