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28C64A-20I/J

更新时间： 2024-02-29 07:12:53

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美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	209K
描述
8K X 8 EEPROM 5V, 200 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28

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28C64A-20I/J 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP28,.6	针数：	28
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.15
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	200 ns
其他特性：	AUTOMATIC WRITE; BULK ERASE; 10K ERASE/WRITE CYCLES MIN.; 1MS BYTE WRITE; DATA RETENTION > 10 YEARS	命令用户界面：	NO
数据轮询：	YES	数据保留时间-最小值：	10
JESD-30 代码：	R-GDIP-T28	JESD-609代码：	e0
长度：	36.83 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	8192 words	字数代码：	8000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	8KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP28,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	5.461 mm	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	NO
宽度：	15.24 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	3 ms
Base Number Matches：	1

28C64A-20I/J 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
28C64A-20I/K	MICROCHIP	8K X 8 EEPROM 5V, 200 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32	获取价格
28C64A-20I/K	VISHAY	EEPROM, 8KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CQCC32	获取价格
28C64A-20I/L	VISHAY	EEPROM, 8KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PQCC32	获取价格
28C64A-20I/L	MICROCHIP	64K (8K x 8) CMOS EEPROM	获取价格
28C64A-20I/P	MICROCHIP	64K (8K x 8) CMOS EEPROM	获取价格
28C64A-20I/SO	MICROCHIP	64K (8K x 8) CMOS EEPROM	获取价格