Datasheet > 存储 > EEPROM> 28C64A-25/P

28C64A-25/P

更新时间： 2024-11-24 03:55:55

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美国微芯 - MICROCHIP		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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描述
64K (8K x 8) CMOS EEPROM

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28C64A-25/P 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP28,.6
针数：	28	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.7	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	250 ns	其他特性：	AUTOMATIC WRITE; BULK ERASE; DATA RETENTION > 10 YEARS
命令用户界面：	NO	数据轮询：	YES
数据保留时间-最小值：	10	JESD-30 代码：	R-PDIP-T28
JESD-609代码：	e0	长度：	36.32 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	4.83 mm
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.03 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO	宽度：	15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	1 ms	Base Number Matches：	1

28C64A-25/P 数据手册

Obsolete Device

28C64A

64K (8K x 8) CMOS EEPROM

FEATURES

PACKAGE TYPES

• Fast Read Access Time—150 ns

• CMOS Technology for Low Power Dissipation

- 30 mA Active

RDY/BSY

A12

• 1

28 Vcc

27 WE

26 NC

25 A8

- 100 µA Standby

A1 10

A0 11

NC 12

I/O0 13

29 A8

28 A9

24 A9

• Fast Byte Write Time—200 µs or 1 ms

• Data Retention >200 years

• High Endurance - Minimum 100,000 Erase/Write

Cycles

• Automatic Write Operation

- Internal Control Timer

23 A11

22 OE

21 A10

20 CE

19 I/O7

18 I/O6

17 I/O5

16 I/O4

15 I/O3

27 A11

26 NC

25 OE

24 A10

23 CE

22 I/O7

21 I/O6

I/O0

I/O1

I/O2

V_SS14

- Auto-Clear Before Write Operation

- On-Chip Address and Data Latches

• Data Polling

• Pin 1 indicator on PLCC on top of package

• Ready/Busy

• Chip Clear Operation

• Enhanced Data Protection

- VCC Detector

BLOCK DIAGRAM

I/O0

I/O7

- Pulse Filter

- Write Inhibit

VSS

Data Protection

VCC

Circuitry

Chip Enable/

Output Enable

Control Logic

• Electronic Signature for Device Identification

• 5-Volt-Only Operation

• Organized 8Kx8 JEDEC Standard Pinout

- 28-pin Dual-In-Line Package

- 32-pin PLCC Package

Input/Output

Buffers

Auto Erase/Write

Timing

Data

Poll

Rdy/

Busy

Program Voltage

Generation

- 28-pin SOIC Package

Y Gating

Decoder

• Available for Extended Temperature Ranges:

- Commercial: 0°C to +70°C

16K bit

Cell Matrix

- Industrial:

-40°C to +85°C

Decoder

DESCRIPTION

A12

The Microchip Technology Inc. 28C64A is a CMOS 64K non-

volatile electrically Erasable PROM. The 28C64A is

accessed like a static RAM for the read or write cycles with-

out the need of external components. During a “byte write”,

the address and data are latched internally, freeing the micro-

processor address and data bus for other operations. Fol-

lowing the initiation of write cycle, the device will go to a busy

state and automatically clear and write the latched data using

an internal control timer. To determine when the write cycle

is complete, the user has a choice of monitoring the Ready/

Busy output or using Data polling. The Ready/Busy pin is an

open drain output, which allows easy configuration in wired-

or systems. Alternatively, Data polling allows the user to read

the location last written to when the write operation is com-

plete. CMOS design and processing enables this part to be

used in systems where reduced power consumption and reli-

ability are required. A complete family of packages is offered

to provide the utmost flexibility in applications.

2004 Microchip Technology Inc.

DS11109K-page 1

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