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28C64A-15TS

更新时间： 2024-01-19 21:30:14

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美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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64K (8K x 8) CMOS EEPROM

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28C64A-15TS 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	QCCN, LCC32,.45X.55	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最长访问时间：	150 ns
命令用户界面：	NO	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	R-XQCC-N32	JESD-609代码：	e0
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	端子数量：	32
字数：	8192 words	字数代码：	8000
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	8KX8	封装主体材料：	CERAMIC
封装代码：	QCCN	封装等效代码：	LCC32,.45X.55
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
子类别：	EEPROMs	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	切换位：	NO
最长写入周期时间 (tWC)：	1 ms

28C64A-15TS 数据手册

28C64A

TABLE 1-4:

BYTE WRITE AC CHARACTERISTICS

AC Testing Waveform:

Output Load:

Input Rise/Fall Times:

Ambient Temperature:

VIH = 2.4V; VIL = 0.45V; VOH = 2.0V; VOL = 0.8V

1 TTL Load + 100 pF

20 ns

Commercial (C):

Tamb

0˚C to +70˚C

-40˚C to +85˚C

Industrial

(I):

Parameter

Symbol

Min

Max

Units

Remarks

Address Set-Up Time

Address Hold Time

Data Set-Up Time

Data Hold Time

tAS

tAH

100

—

µs

tDS

—

tDH

—

Write Pulse Width

Write Pulse High Time

OE Hold Time

tWPL

tWPH

tOEH

tOES

tDV

—

Note 1

Note 2

—

OE Set-Up Time

—

Data Valid Time

1000

Time to Device Busy

Write Cycle Time (28C64A)

Write Cycle Time (28C64AF)

tDB

tWC

—

0.5 ms typical

—

200

100 µs typical

Note 1: A write cycle can be initiated be CE or WE going low, whichever occurs last. The data is latched on the pos-

itive edge WE, whichever occurs ﬁrst.

2: Data must be valid within 1000ns max. after a write cycle is initiated and must be stable at least until tDH after

the positive edge of WE or CE, whichever occurs ﬁrst.

FIGURE 1-2: PROGRAMMING WAVEFORMS

VIH

Address

VIL

tAS

tAH

VIH

VIL

tWPL

tDS

CE, WE

Data In

tDH

tDV

VIH

VIL

tOES

VIH

VIL

tOEH

tDB

VOH

VOL

Rdy/Busy

Busy

Ready

tWC

DS11109H-page 4

1996 Microchip Technology Inc.

1 2 345 6 7 8

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