5秒后页面跳转
27HC191-35I/J PDF预览

27HC191-35I/J

更新时间: 2024-02-01 20:16:46
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 259K
描述
2K X 8 UVPROM, 35 ns, CDIP24, 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-24

27HC191-35I/J 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-24针数:24
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.61风险等级:5.92
Is Samacsys:N最长访问时间:35 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-GDIP-T24
JESD-609代码:e0长度:31.75 mm
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:UVPROM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:24字数:2048 words
字数代码:2000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:2KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码:WDIP
封装等效代码:DIP24,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE, WINDOW并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
编程电压:12.75 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.715 mm最大待机电流:0.04 A
子类别:EPROMs最大压摆率:0.091 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

27HC191-35I/J 数据手册

 浏览型号27HC191-35I/J的Datasheet PDF文件第2页浏览型号27HC191-35I/J的Datasheet PDF文件第3页浏览型号27HC191-35I/J的Datasheet PDF文件第4页浏览型号27HC191-35I/J的Datasheet PDF文件第5页浏览型号27HC191-35I/J的Datasheet PDF文件第6页浏览型号27HC191-35I/J的Datasheet PDF文件第7页 

与27HC191-35I/J相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
27HC191-35I/K MICROCHIP 2K X 8 UVPROM, 35 ns, CQCC28, WINDOWED, CERAMIC, LCC-28

获取价格

27HC191-35I/L MICROCHIP 2K X 8 OTPROM, 35 ns, PQCC28, PLASTIC, LCC-28

获取价格

27HC191-35I/P ETC x8 EPROM

获取价格

27HC191-40/J ETC x8 EPROM

获取价格

27HC191-40/K MICROCHIP 2K X 8 UVPROM, 40 ns, CQCC28, WINDOWED, CERAMIC, LCC-28

获取价格

27HC191-40/L ETC x8 EPROM

获取价格