Datasheet > 存储 > EPROM> 27C256-90I/P

27C256-90I/P

更新时间： 2024-12-01 03:55:51

品牌	Logo	应用领域
美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器
页数	文件大小	规格书
10页	92K
描述
256K (32K x 8) CMOS EPROM

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27C256-90I/P 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
针数：	28	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.15	最长访问时间：	90 ns
其他特性：	DATA RETENTION >200 YEARS	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDIP-T28	JESD-609代码：	e0
长度：	36.32 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	OTP ROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	32KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP28,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	编程电压：	13 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	4.83 mm
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	OTP ROMs
最大压摆率：	0.03 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

27C256-90I/P 数据手册

Obsolete Device

27C256

256K (32K x 8) CMOS EPROM

FEATURES

PACKAGE TYPES

• High speed performance

PLCC

- 90 ns access time available

• CMOS Technology for low power consumption

- 20 mA Active current

- 100 µA Standby current

A11

A10

• Factory programming available

• Auto-insertion-compatible plastic packages

• Auto ID aids automated programming

• Separate chip enable and output enable controls

• High speed “express” programming algorithm

• Organized 32K x 8: JEDEC standard pinouts

- 28-pin Dual-in-line package

DIP/SOIC

VPP

A12

- 32-pin PLCC Package

VCC

A14

A13

- 28-pin SOIC package

- Tape and reel

• Data Retention > 200 years

A11

A10

• Available for the following temperature ranges:

- Commercial:

- Industrial:

0°C to +70°C

-40°C to +85°C

-40°C to +125°C

V^SS

- Automotive:

DESCRIPTION

The Microchip Technology Inc. 27C256 is a CMOS

256K bit electrically Programmable Read Only Memory

(EPROM). The device is organized as 32K words by 8

bits (32K bytes). Accessing individual bytes from an

address transition or from power-up (chip enable pin

going low) is accomplished in less than 90 ns. This very

high speed device allows the most sophisticated micro-

processors to run at full speed without the need for

WAIT states. CMOS design and processing enables

this part to be used in systems where reduced power

consumption and reliability are requirements.

A complete family of packages is offered to provide the

most flexibility in applications. For surface mount appli-

cations, PLCC, or SOIC packaging is available. Tape

and reel packaging is also available for PLCC or SOIC

packages.

2004 Microchip Technology Inc.

DS11001N-page 1

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