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27C128-20E/SO

更新时间: 2024-02-13 10:15:40
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美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
12页 65K
描述
x8 EPROM

27C128-20E/SO 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:8 X 13.40 MM, TSOP-28针数:28
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.67
Is Samacsys:N最长访问时间:200 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G28
JESD-609代码:e0内存密度:131072 bit
内存集成电路类型:OTP ROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:16384 words字数代码:16000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:16KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:TSSOP28/32,.8,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V编程电压:13 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.0001 A
子类别:OTP ROMs最大压摆率:0.025 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

27C128-20E/SO 数据手册

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27C128  
TABLE 1-3:  
READ OPERATION AC CHARACTERISTICS  
AC Testing Waveform:  
Output Load:  
VIH = 2.4V and VIL = 0.45V; VOH = 2.0V VOL = 0.8V  
1 TTL Load + 100 pF  
Input Rise and Fall Times: 10 ns  
Ambient Temperature: Commercial:  
Industrial:  
Extended (Automotive): Tamb = -40°C to +125°C  
Tamb = 0˚C to +70˚C  
Tamb = -40˚C to +85˚C  
27C128-12 27C128-15 27C128-17 27C128-20 27C128-25  
Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max  
Parameter  
Sym  
Units Conditions  
Address to Output Delay tACC  
0
120  
120  
65  
0
150  
150  
70  
0
170  
170  
70  
0
200  
200  
75  
0
250  
250  
100  
60  
ns CE=OE=VIL  
ns OE=VIL  
ns CE=VIL  
ns  
CE to Output Delay  
OE to Output Delay  
tCE  
tOE  
CE or OE to O/P High  
Impedance  
tOFF  
50  
50  
50  
55  
Output Hold from  
tOH  
0
0
0
0
0
ns  
Address CE or OE,  
whichever occurs first  
FIGURE 1-1: READ WAVEFORMS  
VIH  
Address Valid  
Address  
VIL  
VIH  
CE  
VIL  
tCE(2)  
VIH  
OE  
VIL  
tOFF(1,3)  
tOH  
tOE(2)  
VOH  
Outputs  
O0 - O7  
High Z  
High Z  
Valid Output  
VOL  
tACC  
Notes: (1) tOFF is specified for OE or CE, whichever occurs first  
(2) OE may be delayed up to tCE - tOE after the falling edge of CE without impact on tCE  
(3) This parameter is sampled and is not 100% tested.  
1996 Microchip Technology Inc.  
DS11003K-page 3  

与27C128-20E/SO相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
27C128-20E/TS MICROCHIP 16K X 8 OTPROM, 200 ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP-28

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27C128-20I/J MICROCHIP 16K X 8 UVPROM, 200 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28

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27C128-20I/K MICROCHIP 16K X 8 UVPROM, 200 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32

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27C128-20I/L MICROCHIP x8 EPROM

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