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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> 25TTS12STRPBF
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25TTS12STRPBF

更新时间： 2024-02-12 08:16:09
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 栅极可控硅局域网
页数 文件大小 规格书
7页 99K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element,

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25TTS12STRPBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.06
Is Samacsys：N外壳连接：ANODE
标称电路换相断开时间：110 µs配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：0.0005 V/us最大直流栅极触发电流：45 mA
最大直流栅极触发电压：2.5 V最大维持电流：100 mA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
最大漏电流：10 mA湿度敏感等级：1
通态非重复峰值电流：350 A元件数量：1
端子数量：2最大通态电流：16000 A
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：25 A
断态重复峰值电压：1200 V重复峰值反向电压：1200 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

25TTS12STRPBF 数据手册

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25TTS..FP SAFEIR Series  
Bulletin I2135 rev. D 03/99  
Triggering  
Parameters  
25TTS..FP Units  
Conditions  
PGM Max. peak Gate Power  
8.0  
2.0  
1.5  
10  
W
PG(AV) Max. average Gate Power  
+ IGM Max. paek positive Gate Current  
- VGM Max. paek negative Gate Voltage  
A
V
IGT  
Max. required DC Gate Current  
to trigger  
60  
mA  
Anode supply = 6V, resistive load, TJ = - 10°C  
Anode supply = 6V, resistive load, TJ = 25°C  
Anode supply = 6V, resistive load, TJ = 125°C  
Anode supply = 6V, resistive load, TJ = - 10°C  
Anode supply = 6V, resistive load, TJ = 25°C  
45  
20  
VGT Max. required DC Gate Voltage  
to trigger  
2.5  
2.0  
V
1.0  
0.25  
2.0  
Anode supply = 6V, resistive load, TJ = 125°C  
TJ = 125°C, VDRM = rated value  
VGD Max. DC Gate Voltage not to trigger  
IGD Max. DC Gate Current not to trigger  
mA  
TJ = 125°C, VDRM = rated value  
Switching  
Parameters  
25TTS..FP Units  
Conditions  
TJ = 25°C  
tgt  
trr  
tq  
Typical turn-on time  
0.9  
4
µs  
Typical reverse recovery time  
Typical turn-off time  
TJ = 125°C  
110  
Thermal-Mechanical Specifications  
Parameters  
25TTS..FP Units  
Conditions  
TJ  
Max.JunctionTemperatureRange  
-40to125  
-40to125  
1.5  
°C  
Tstg Max.StorageTemperatureRange  
RthJC Max.ThermalResistanceJunction  
°C/W  
DCoperation  
toCase  
RthJA Max.ThermalResistanceJunction  
62  
toAmbient  
RthCS Typ.ThermalResistanceCase  
toHeatsink  
1.5  
Mountingsurface,smoothandgreased  
wt  
T
ApproximateWeight  
MountingTorque  
2(0.07)  
6(5)  
g(oz.)  
Min.  
Kg-cm  
(Ibf-in)  
Max.  
12(10)  
CaseStyle  
TO-220FULLPAK  
(94/V0)  
3
www.irf.com  
1234567

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