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25TTS08STRPBF

更新时间: 2024-02-14 05:22:05
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英飞凌 - INFINEON 栅极触发装置可控硅整流器局域网
页数 文件大小 规格书
7页 99K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element,

25TTS08STRPBF 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.06Is Samacsys:N
外壳连接:ANODE标称电路换相断开时间:110 µs
配置:SINGLE关态电压最小值的临界上升速率:0.0005 V/us
最大直流栅极触发电流:45 mA最大直流栅极触发电压:2.5 V
最大维持电流:100 mAJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3最大漏电流:10 mA
湿度敏感等级:1通态非重复峰值电流:350 A
元件数量:1端子数量:2
最大通态电流:16000 A最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:25 A断态重复峰值电压:800 V
重复峰值反向电压:800 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

25TTS08STRPBF 数据手册

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25TTS..FP SAFEIR Series  
Bulletin I2135 rev. D 03/99  
1000  
100  
10  
T = 25°C  
J
T = 125°C  
J
25TTS.. Se rie s  
1
0
1
2
3
4
5
Insta nta ne o us On-sta te Vo lta g e (V)  
Fig. 7 - On-state Voltage Drop Characteristics  
10  
1
D = 0.50  
D = 0.33  
D = 0.25  
D = 0.17  
D = 0.08  
Ste a d y Sta te Va lue  
(DC Op e ra tion )  
0.1  
Sing le Pu lse  
25TTS.. Se rie s  
1
0.01  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
10  
Sq ua re Wa ve Pulse Dura tion (s)  
Fig. 8 - Thermal Impedance ZthJC Characteristics  
100  
10  
1
Re c ta ngula r g a te p ulse  
a )Re c omme nde d loa d line for  
ra te d d i/ dt: 10 V, 20 ohm s  
(1) PG M = 40 W, tp = 1 ms  
(2) PG M = 20 W, tp = 2 ms  
(3) PG M = 8 W, tp = 5 ms  
(4) PG M = 4 W, tp = 10 ms  
tr = 0.5 µs, tp >= 6 µs  
b)Re c omme nd e d loa d line fo r  
<= 30% ra te d d i/ dt: 10 V, 65 ohm s  
tr = 1 µs, tp >= 6 µs  
(a )  
(b )  
(3)  
(2) (1)  
(4)  
VG D  
IG D  
25TTS.. Se rie s  
0.1  
Fre q ue nc y Limite d b y PG (AV)  
10  
0.1  
0.001  
0.01  
1
100  
Insta nta ne ous G a te Curre nt (A)  
Fig. 9 - Gate Characteristics  
5
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