25TTS12FPPBF

更新时间： 2024-11-23 06:24:31

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威世 - VISHAY		栅极触发装置可控硅整流器局域网
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7页	583K
描述
Phase Control SCR TO-220AB FULL-PAK, 25 A

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25TTS12FPPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.18	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
标称电路换相断开时间：	110 µs	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	45 mA	最大直流栅极触发电压：	2 V
最大维持电流：	100 mA	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
最大漏电流：	0.5 mA	通态非重复峰值电流：	350 A
元件数量：	1	端子数量：	3
最大通态电流：	16000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	25 A	断态重复峰值电压：	1200 V
重复峰值反向电压：	1200 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

25TTS12FPPBF 数据手册

25TTS...FPPbF High Voltage Series

Vishay High Power Products

Phase Control SCR

TO-220AB FULL-PAK, 25 A

DESCRIPTION/FEATURES

The 25TTS...FPPbF High Voltage Series of

silicon controlled rectifiers are specifically

designed for medium power switching and phase

control applications. The glass passivation

(A)

Available

RoHS*

COMPLIANT

technology used has reliable operation up to 140 °C junction

temperature.

1 (K)

(G) 3

TO-220AB FULL-PAK

Typical applications are in input rectification (soft start) and

these products are designed to be used with Vishay HPP

input diodes, switches and output rectifiers which are

available in identical package outlines. Fully isolated

PRODUCT SUMMARY

package (V_INS= 2500 V_RMS); plastic material 94V_Ro

V_Tat 16 A

< 1.25 V

200 A

I_TSM

This product has been designed and qualified for industrial

level and lead (Pb)-free (“PbF” suffix).

V_RRM

800/1200 V

OUTPUT CURRENT IN TYPICAL APPLICATIONS

APPLICATIONS

SINGLE-PHASE BRIDGE

THREE-PHASE BRIDGE

UNITS

Capacitive input filter T_A= 55 °C, T_J= 125 °C,

common heatsink of 1 °C/W

MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS

PARAMETER

TEST CONDITIONS

VALUES

UNITS

I_T(AV)

Sinusoidal waveform

I_RMS

V_RRM/V_DRM

I_TSM

800/1200

300

V_T

16 A, T_J= 25 °C

1.25

dV/dt

500

V/µs

A/µs

°C

dI/dt

150

T_J

- 40 to 125

VOLTAGE RATINGS

V_RRM, MAXIMUM PEAK

REVERSE VOLTAGE

_DRM, MAXIMUM PEAK

DIRECT VOLTAGE

_RRM/I_DRM

PART NUMBER

AT 125 °C

25TTS08FPPbF

25TTS12FPPbF

800

1200

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 94384

Revision: 27-May-08

For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
25TTS12PBF	VISHAY	获取价格	Phase Control SCR, 25 A
25TTS12PBF	INFINEON	获取价格	PHASE CONTROL SCR
25TTS12S	INFINEON	获取价格	SURFACE MOUNTABLE PHASE CONTROL SCR
25TTS12S	VISHAY	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 16000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Ele
25TTS12SPBF	VISHAY	获取价格	Surface Mountable Phase Control SCR, 16 A
25TTS12STR	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element,
25TTS12STRL	INFINEON	获取价格	SURFACE MOUNTABLE PHASE CONTROL SCR
25TTS12STRL	VISHAY	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 16000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Ele
25TTS12STRLPBF	VISHAY	获取价格	Surface Mountable Phase Control SCR, 16 A
25TTS12STRPBF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element,

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