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25C160T-E/SNC77

更新时间： 2024-11-24 15:25:47

品牌	Logo	应用领域
美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
22页	306K
描述
2K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, MS-012, SOIC-8

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25C160T-E/SNC77 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP,	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.15
最大时钟频率 (fCLK)：	3 MHz	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	长度：	4.9 mm
内存密度：	16384 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	2048 words	字数代码：	2000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	2KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.75 mm
串行总线类型：	SPI	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	3.91 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
Base Number Matches：	1

25C160T-E/SNC77 数据手册

Not recommended for new designs –

Please use 25AA160A/B or 25LC160A/B.

25AA160/25LC160/25C160

16K SPI Bus Serial EEPROM

Device Selection Table

Description:

The Microchip Technology Inc. 25AA160/25LC160/

Part

Number

VCC

Range

Max Clock

Frequency

Temp

Ranges

25C160 (25XX160^*) are 16 Kbit Serial Electrically

Erasable PROMs. The memory is accessed via a

simple Serial Peripheral Interface (SPI) compatible

serial bus. The bus signals required are a clock input

(SCK) plus separate data in (SI) and data out (SO)

lines. Access to the device is controlled through a Chip

Select (CS) input.

25AA160

25LC160

25C160

1.8-5.5V

2.5-5.5V

4.5-5.5V

1 MHz

2 MHz

3 MHz

I,E

Features:

Communication to the device can be paused via the

hold pin (HOLD). While the device is paused, transi-

tions on its inputs will be ignored, with the exception of

chip select, allowing the host to service higher priority

interrupts.

• Low-power CMOS technology:

- Write current: 3 mA maximum

- Read current: 500 A typical

- Standby current: 500 nA typical

• 2048 x 8-bit organization

• 16 byte page

Package Types

• Write cycle time: 5 ms max.

• Self-timed erase and write cycles

• Block write protection:

PDIP/SOIC

VCC

HOLD

SCK

- Protect none, 1/4, 1/2 or all of array

• Built-in write protection:

- Power on/off data protection circuitry

- Write enable latch

VSS

- Write-protect pin

• Sequential read

Block Diagram

• High reliability:

Status

HV Generator

- Endurance: 1 M cycles

- Data retention: > 200 years

- ESD protection: > 4000V

• 8-pin PDIP and SOIC packages

• Temperature ranges supported:

EEPROM

Array

Memory

Control

Logic

I/O Control

Logic

- Industrial (I):

-40C to +85C

Dec

- Automotive (E) (25C160):

-40°C to +125°C

Page Latches

Y Decoder

SCK

Sense Amp.

R/W Control

HOLD

VCC

VSS

 1997-2012 Microchip Technology Inc.

DS21231E-page 1

12 3 4 5 6 7...22

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