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25B4B42

更新时间: 2024-11-29 19:44:19
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东芝 - TOSHIBA 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
2页 63K
描述
DIODE 25 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, Bridge Rectifier Diode

25B4B42 技术参数

生命周期:Active包装说明:S-PUFM-D4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.78
外壳连接:ISOLATED配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-30 代码:S-PUFM-D4
最大非重复峰值正向电流:400 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:25 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:SQUARE封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向电流:0.00001 µA表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

25B4B42 数据手册

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