是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Not Recommended | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SOP, | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.24 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | 1000K ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION > 200 YEARS |
最大时钟频率 (fCLK): | 1 MHz | 数据保留时间-最小值: | 200 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 4.9 mm | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 8KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.75 mm | 串行总线类型: | SPI |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 宽度: | 3.9 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 5 ms | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
25AA640-I/SNG | MICROCHIP |
获取价格 |
8K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 3.90 MM, PLASTIC, SOIC-8 | |
25AA640-I/ST | MICROCHIP |
获取价格 |
64K SPI Bus Serial EEPROM | |
25AA640-I/STG | MICROCHIP |
获取价格 |
8K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 4.40 MM, PLASTIC, TSSOP-8 | |
25AA640T | MICROCHIP |
获取价格 |
64K SPI Bus Serial EEPROM | |
25AA640T/P | MICROCHIP |
获取价格 |
8K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8 | |
25AA640T/PG | MICROCHIP |
获取价格 |
8K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8 | |
25AA640T/SN | MICROCHIP |
获取价格 |
8K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8 | |
25AA640T/SNG | MICROCHIP |
获取价格 |
8K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8 | |
25AA640T-E/P | MICROCHIP |
获取价格 |
64K SPI Bus Serial EEPROM | |
25AA640T-E/SN | MICROCHIP |
获取价格 |
64K SPI Bus Serial EEPROM |