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25AA256X-I/ST

更新时间： 2024-11-24 19:36:03
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
32页 681K
描述
32K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 4.40 MM, PLASTIC, MO-153, TSSOP-8

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25AA256X-I/ST 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TSSOP
包装说明：4.40 MM, PLASTIC, MO-153, TSSOP-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51Factory Lead Time：6 weeks
风险等级：5.53最大时钟频率 (fCLK)：10 MHz
数据保留时间-最小值：200耐久性：1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
长度：4.4 mm内存密度：262144 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：8字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：32KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP8,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：SERIAL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：2/5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.1 mm串行总线类型：SPI
最大待机电流：0.000001 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.006 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：1.8 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：3 mm最长写入周期时间 (tWC)：5 ms
写保护：HARDWARE/SOFTWAREBase Number Matches：1

25AA256X-I/ST 数据手册

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25AA256/25LC256  
256K SPI Bus Serial EEPROM  
Device Selection Table  
Part Number  
25LC256  
VCC Range  
Page Size  
Temp. Ranges  
Packages  
2.5-5.5V  
1.8-5.5V  
64 Byte  
64 Byte  
I, E  
I, E  
P, SN, SM, ST, MF  
P, SN, SM, ST, MF  
25AA256  
Features:  
Description:  
• Max. Clock 10 MHz  
The Microchip Technology Inc. 25AA256/25LC256  
(25XX256*) are 256 Kbit Serial Electrically Erasable  
PROMs. The memory is accessed via a simple Serial  
Peripheral Interface (SPI) compatible serial bus. The  
bus signals required are a clock input (SCK) plus  
separate data in (SI) and data out (SO) lines. Access to  
the device is controlled through a Chip Select (CS)  
input.  
• Low-Power CMOS Technology:  
- Max. Write Current: 5 mA at 5.5V, 10 MHz  
- Read Current: 6 mA at 5.5V, 10 MHz  
- Standby Current: 1 A at 5.5V  
• 32,768 x 8-bit Organization  
• 64-Byte Page  
• Self-Timed Erase and Write Cycles (5 ms max.)  
• Block Write Protection:  
Communication to the device can be paused via the  
hold pin (HOLD). While the device is paused,  
transitions on its inputs will be ignored, with the  
exception of Chip Select, allowing the host to service  
higher priority interrupts.  
- Protect none, 1/4, 1/2 or all of array  
• Built-In Write Protection:  
- Power-on/off data protection circuitry  
- Write enable latch  
The 25XX256 is available in standard packages includ-  
ing 8-lead PDIP and SOIC, and advanced packaging  
including 8-lead DFN and 8-lead TSSOP.  
- Write-protect pin  
• Sequential Read  
Package Types (not to scale)  
• High Reliability:  
DFN  
- Endurance: 1,000,000 erase/write cycles  
- Data retention: > 200 years  
- ESD protection: > 4000V  
PDIP/SOIC  
(MF)  
(P, SN, SM)  
1
2
3
4
CS  
SO  
8
7
6
5
VCC  
HOLD  
SCK  
SI  
CS  
SO  
WP  
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC  
HOLD  
SCK  
SI  
• Temperature Ranges Supported:  
WP  
VSS  
- Industrial (I):  
- Automotive (E):  
-40C to +85C  
-40°C to +125°C  
VSS  
• Pb-Free and RoHS Compliant  
Rotated TSSOP  
(ST)  
Pin Function Table  
Name  
Function  
8
1
2
3
4
SCK  
SI  
HOLD  
7
VCC  
CS  
SO  
Chip Select Input  
Serial Data Output  
Write-Protect  
CS  
SO  
6
5
VSS  
WP  
WP  
VSS  
SI  
Ground  
TSSOP  
(ST)  
Serial Data Input  
Serial Clock Input  
Hold Input  
SCK  
HOLD  
VCC  
8
7
1
2
3
4
V
CC  
CS  
SO  
WP  
HOLD  
SCK  
SI  
Supply Voltage  
6
5
VSS  
* 25XX256 is used in this document as a generic part number  
for the 25AA256/25LC256 devices.  
2003-2013 Microchip Technology Inc.  
DS21822G-page 1  
1234567...32

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